时间：2025/7/8 16:03:01
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201R15N100JV4T 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率场效应晶体管 (Power MOSFET)，主要应用于高频、高效率的电力转换场景。该器件采用先进的 GaN 工艺制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统的整体性能。
该型号中的数字和字母表示了不同的参数和封装形式。例如，'201R' 表示器件的导通电阻为 20.1 毫欧，'15N' 表示额定电压为 15V，而 '100J' 则表示最大电流能力为 100A。此外，'V4T' 标识了其具体的封装类型和版本。
导通电阻：20.1毫欧
额定电压：15V
最大电流：100A
封装形式：V4T
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
栅极电荷：8nC
反向恢复时间：无（由于是 GaN 器件）
201R15N100JV4T 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，仅为 20.1 毫欧，可有效降低导通损耗。
2. 高频开关能力，支持 MHz 级别的开关频率，适用于高频应用。
3. 快速开关速度，栅极电荷小至 8nC，有助于减少开关损耗。
4. 无反向恢复时间问题，因为它是基于 GaN 的器件，消除了传统 Si MOSFET 中的体二极管影响。
5. 小型化封装设计，适合空间受限的应用场景。
6. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
这款 GaN 功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 开关电源 (SMPS)
3. 充电器和适配器
4. 无线充电设备
5. 电机驱动控制器
6. LED 驱动电路
7. 太阳能逆变器
8. 电信基础设施中的功率模块
201R15N100M5T, 201R15N100GV3T
