时间：2025/9/14 19:58:41
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PSMN3R3-40YS,115 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能功率转换应用而设计，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电源管理和电池供电系统等场景。这款MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，以实现更低的导通电阻（Rds(on)）和更优的开关性能。其封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），这种封装具有良好的热性能和电流承载能力，同时提供了表面贴装的便利性，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：120A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：3.3mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：5.7mΩ
功率耗散（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PSMN3R3-40YS,115 的核心特性之一是其极低的导通电阻，在Vgs=10V时仅为3.3mΩ，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件还具有出色的热性能，得益于其LFPAK56封装设计，该封装具有较大的铜引脚和优化的内部结构，可以有效将热量传导至PCB，从而实现更高的功率密度和可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的栅极驱动，这使其兼容多种驱动电路，包括低电压控制器和驱动IC。同时，其最大漏极电流可达120A，非常适合高电流应用。
PSMN3R3-40YS,115 广泛应用于各类高性能功率系统中，包括但不限于：同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、服务器电源、电信设备、工业控制系统以及汽车电子中的功率模块。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效率电源设计的理想选择。
PSMN4R2-40YS,115, PSMN2R2-40YLH,115, PSMN3R8-40YLC,115
