容量：4Gbit
　　类型：NAND Flash
　　封装：TSSOP
　　电压：2.7V - 3.6V
　　接口：并行 NAND 接口
　　读取时间：最大 50ns
　　编程时间：典型值 200μs
　　擦除时间：典型值 2ms
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

HY27UH164G2M-TPCB 是一款高性能的 NAND Flash 存储器，具备多项关键特性，适用于多种应用场景。
　　首先，该芯片采用先进的 NAND Flash 技术，提供高达 4GB 的存储容量，能够满足现代消费类电子产品对大容量存储的需求。其 NAND 架构允许高效的页式数据读写操作，适用于需要频繁写入和擦除的应用场景。
　　其次，HY27UH164G2M-TPCB 采用 TSSOP 封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的热稳定性，适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。TSSOP 封装还提高了 PCB 布局的灵活性，有助于提高电路板的集成度。
　　该芯片支持 2.7V 至 3.6V 的宽电压范围，使其能够在不同电源条件下稳定工作。这种宽电压设计增强了芯片的适用性，使其能够兼容多种电源管理系统，降低设计复杂度并提高系统的可靠性。
　　在性能方面，HY27UH164G2M-TPCB 提供高速数据访问能力，其最大读取时间为 50ns，确保了快速的数据检索。编程和擦除操作的时间分别为 200μs 和 2ms，这在需要频繁写入和擦除的应用中尤为重要，例如文件系统的日志记录或缓存管理。
　　此外，该芯片支持 -40°C 至 +85°C 的工业级工作温度范围，使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。这种宽温特性使其适用于工业控制、车载电子、安防监控等要求较高的应用场景。
　　最后，HY27UH164G2M-TPCB 采用标准的 NAND Flash 接口，与主流控制器兼容，简化了系统设计并降低了开发成本。其内置的错误检测和纠正功能（如ECC）进一步提高了数据存储的可靠性。

HY27UH164G2M-TPCB 适用于多种需要大容量非易失性存储的应用场景。
　　在消费类电子产品中，该芯片常用于智能手机、平板电脑、数字相机和多媒体播放器，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。其高容量和高速特性能够满足现代移动设备对数据存储和访问速度的需求。
　　在嵌入式系统中，HY27UH164G2M-TPCB 可用于工业控制设备、智能家电、医疗设备和物联网终端。其宽电压和宽温特性使其能够在各种工作环境下稳定运行，提高系统的可靠性和耐用性。
　　此外，该芯片还可用于固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘和存储卡等存储设备，作为低成本、高性能的存储解决方案。其并行 NAND 接口与主流控制器兼容，简化了存储设备的设计和制造流程。

K9F4G08U0C-PCB0, TC58NVG2S0HFT00, MT29F4G08ABADA