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GA0805H272JBBBR31G 发布时间 时间:2025/5/22 15:43:07 查看 阅读:16

GA0805H272JBBBR31G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高性能 N 沟道功率 MOSFET,采用 TOLL 封装形式。这款 MOSFET 主要应用于高效率电源转换、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,从而能够在高频工作条件下提供出色的性能表现。
  此型号基于先进的制程技术设计,确保在高温环境下的稳定性和可靠性,非常适合需要高效能量转换和热管理的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:94A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  栅极电荷(典型值):95nC
  反向恢复时间:47ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TOLL

特性

GA0805H272JBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗并提升整体效率。
  2. 快速的开关速度,能够适应高频应用需求。
  3. 高雪崩能力和鲁棒性,确保在异常工作条件下的可靠性。
  4. 紧凑型封装设计,适合高密度 PCB 布局。
  5. 支持宽范围的工作温度,适用于严苛环境中的电力电子系统。
  6. 符合 AEC-Q101 标准,满足汽车级应用的要求。
  7. 具备出色的热性能,可有效减少散热设计复杂度。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 工业和汽车 DC-DC 转换器。
  2. 高效电机驱动电路。
  3. 开关模式电源 (SMPS)。
  4. 太阳
  5. 电动车和混合动力车中的牵引逆变器。
  6. 高电流负载开关和保护电路。
  由于其卓越的电气特性和可靠性,GA0805H272JBBBR31G 成为众多高功率密度设计的理想选择。

替代型号

GA0805H272JBBAAR31G

GA0805H272JBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-