时间：2025/9/14 13:37:17
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PSMN3R3-40MLHX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优良的热性能。其额定电压为 40V，最大连续漏极电流可达 100A，适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。PSMN3R3-40MLHX 采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具备优异的散热性能，适合用于同步整流、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电压 (VDS)：40V
最大栅极电压 (VGS)：±20V
最大漏极电流 (ID)：100A
导通电阻 (RDS(on))：3.3mΩ（典型值）
阈值电压 (VGS(th))：2.0V ~ 3.5V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)
功率耗散 (Ptot)：130W
PSMN3R3-40MLHX 具备多项优异特性，使其适用于高功率和高效率的应用场景。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为 3.3mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用先进的 Trench 技术，优化了电流传导能力和开关性能，降低了开关损耗。
此外，PSMN3R3-40MLHX 采用 LFPAK56 封装，具有出色的热性能和机械稳定性，能够在高电流和高温环境下稳定工作。该封装还具备双面散热能力，有助于提升功率密度和可靠性。
该 MOSFET 支持宽范围的栅极驱动电压（通常为 4.5V 至 10V），兼容多种驱动器和控制器，便于系统集成。同时，其较高的雪崩能量承受能力增强了器件在恶劣工作条件下的稳定性。
PSMN3R3-40MLHX 还具备良好的抗过载和短路能力，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。
PSMN3R3-40MLHX 主要应用于需要高效能和高可靠性的功率管理系统中。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信设备电源和工业自动化控制系统。
在服务器和通信设备的电源系统中，PSMN3R3-40MLHX 的低导通电阻和高效能特性有助于提高电源转换效率，降低热量产生，从而提升系统稳定性和可靠性。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电池管理系统和电机控制模块，满足汽车应用对高可靠性和高效率的要求。
此外，该 MOSFET 也广泛用于高性能电源适配器、LED 照明驱动器和 UPS（不间断电源）系统，提供高效的功率切换能力。
SiSS100N04NQ、IRF1010Z、PSMN4R2-40MLC、IPD60R041C6、BSC100N04LS
