类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大为6.8mΩ（典型值为5.5mΩ）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　工作温度范围：-55°C~175°C
　　封装形式：TO-247AC

IXUC120N10具备多项卓越特性，使其在高性能电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电流传导能力并减少了开关损耗。此外，IXUC120N10具有较高的热稳定性和可靠性，能够在极端温度和负载条件下稳定工作。该器件的封装设计有助于良好的散热性能，适用于高功率密度的电路设计。其快速开关特性也使其在高频电源转换器中表现出色，能够显著提升系统响应速度和能效。
　　此外，IXUC120N10还具备优异的短路耐受能力，可以在异常工作条件下提供更高的安全性和稳定性。这使得它在需要高可靠性的工业和汽车应用中非常受欢迎。同时，该MOSFET还具备较低的栅极电荷（Qg），进一步降低了驱动损耗，提高了系统的动态响应能力。

IXUC120N10广泛应用于多种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电源供应器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电设备。其高效率和高可靠性的特性使其特别适合用于工业自动化控制系统和新能源领域，例如太阳能逆变器和储能系统。此外，由于其优异的热性能和开关特性，IXUC120N10也被广泛应用于高频电源转换器和高效能服务器电源系统中。

SiHF120N10FD, IXFN120N10, FDBL120N10A