ME2101A50PG是一款高性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态过电压事件的损害。该器件采用了先进的硅雪崩技术,具有低电容、低泄漏电流和高浪涌能力等特性,非常适合高速数据线路和高频应用。
ME2101A50PG设计用于单向保护,工作电压为5.0V,能够有效抑制高达±30kV(接触放电)和±30kV(空气放电)的ESD冲击。其紧凑的封装形式使其适合在空间受限的应用环境中使用。
型号:ME2101A50PG
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
工作电压(VRWM):5.0V
击穿电压(VBR):5.8V
最大峰值脉冲电流(IPP):16A
箝位电压(VC):9.4V
结电容(Cj):1.9pF
响应时间:1ps
漏电流(ID):1μA
封装:SOD-323
工作温度范围:-55℃至+150℃
ME2101A50PG具有以下主要特性:
1. 低电容设计(1.9pF),非常适合高速数据线和射频应用。
2. 极快的响应时间(1皮秒),能够迅速抑制瞬态过电压。
3. 高度可靠的ESD防护性能,可承受±30kV的接触放电和空气放电。
4. 紧凑的SOD-323封装形式,节省PCB空间。
5. 低漏电流(1μA),确保对电路功耗的影响最小。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅。
7. 广泛的工作温度范围(-55℃至+150℃),适用于恶劣环境下的应用。
ME2101A50PG广泛应用于以下领域:
1. USB接口保护,包括USB 2.0、USB 3.0及Type-C接口。
2. 高速数据通信线路保护,如HDMI、DisplayPort和以太网。
3. 移动设备中的ESD防护,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
4. 工业自动化设备中的信号线路保护。
5. 汽车电子系统中的瞬态电压保护,例如信息娱乐系统和导航系统。
6. 其他需要低电容和快速响应特性的应用场合。
ME2101A5V0PBT, PESD5V0S1BA, SM712