时间：2025/5/31 1:32:18
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PSMN2R8-40PS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型 PQFN3333-10 封装。该器件主要应用于需要高效能和低导通电阻的场景，例如负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电设备等。它具有较低的导通电阻和出色的开关性能，适合高效率要求的设计。
该器件由 NXP（恩智浦）生产，其设计旨在满足现代电子系统对功率密度和能效的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：9A
导通电阻（典型值）：2mΩ
栅极电荷：16nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
PSMN2R8-40PS 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 支持高频率开关应用，具备较快的开关速度和较低的栅极电荷。
3. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
4. 小尺寸 PQFN3333-10 封装，节省 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各类现代电子设备中。
6. 提供较高的电流承载能力，能够承受瞬时峰值电流冲击。
这款功率 MOSFET 的综合表现使其成为许多高性能电源管理应用的理想选择。
PSMN2R8-40PS 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 笔记本电脑适配器及充电器中的 DC-DC 转换。
3. 便携式设备中的电池管理系统。
4. 高效电机驱动电路。
5. 工业控制中的功率级切换。
6. 电信和网络设备中的电源模块。
其低导通电阻和高效率特性使其特别适合需要长时间运行且能耗敏感的应用环境。
PSMN2R0-40PS, PSMN2R9-40PS
