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IRFR4510PBF 发布时间 时间:2025/6/28 20:08:22 查看 阅读:4

IRFR4510PBF 是一款高性能的 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-263 封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等场景中。它具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度的特点,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
  IRFR4510PBF 的主要特点是其优化的 RDS(on) 值,能够显著降低导通损耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(RDS(on)):7.5mΩ
  栅极电荷:9nC
  总电容(输入电容):1080pF
  最大功耗:175W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263

特性

IRFR4510PBF 是一款专门为高效率应用设计的功率 MOSFET。它的低导通电阻特性可以有效减少导通时的能量损耗,从而提高整个系统的效率。
  此外,该器件还具有快速开关速度,使其在高频开关应用中表现出色。其坚固的结构和宽泛的工作温度范围确保了它在各种环境条件下的可靠性。
  以下是具体特点:
  - 低导通电阻(RDS(on))有助于减少发热并提升效率。
  - 高击穿电压保证了在高压环境下工作的稳定性。
  - 快速开关能力支持高频操作,适合现代电力电子应用。
  - 宽工作温度范围提升了其在恶劣环境中的适应能力。
  - TO-263 封装形式提供良好的散热性能。

应用

IRFR4510PBF 广泛用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下场景:
  - 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  - DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
  - 电机驱动中的功率级元件。
  - 负载切换和保护电路。
  - 各种工业控制和汽车电子系统中的功率管理部分。
  由于其优异的性能,IRFR4510PBF 在需要高效率和高可靠性的应用场合中表现尤为突出。

替代型号

IRFR4511PBF, IRFZ44N, FDP016N06L

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IRFR4510PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C56A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.9 毫欧 @ 38A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs81nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3031pF @ 50V
  • 功率 - 最大143W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件