时间：2025/5/24 17:59:18
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CESD323NC12VU-M 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效能电子开关器件，属于 Cree 公司的 C3M 系列产品。该芯片专为高频和高功率应用场景设计，具有低导通电阻、快速开关速度以及高耐压特性。其主要应用领域包括工业电源、新能源逆变器、通信电源等需要高性能功率转换的场合。
这款 GaN 器件采用增强型 FET 结构，支持单极性驱动，具备出色的效率表现和热性能，能够显著提升系统的工作效率并减少体积和重量。
型号：CESD323NC12VU-M
类型：GaN HEMT
耐压值：650 V
导通电阻：12 mΩ
最大漏电流：100 nA（在关断状态下）
栅极阈值电压：1.8 V 至 3 V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
CESD323NC12VU-M 的核心优势在于其卓越的电气特性和可靠性：
1. 高耐压能力，额定电压高达 650V，适用于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 12 毫欧姆，有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能，支持 MHz 级别的开关频率，满足高频电路需求。
4. 高效的热管理设计，确保长时间稳定运行。
5. 内置静电保护功能，提高器件的抗干扰能力。
6. 宽泛的工作温度范围，适应极端环境条件。
CESD323NC12VU-M 广泛应用于以下领域：
1. 工业级开关电源 (SMPS)，如数据中心服务器电源和不间断电源 (UPS)。
2. 新能源汽车中的 DC-DC 转换器和车载充电器。
3. 太阳能逆变器及储能系统的功率变换模块。
4. 通信基站电源和其他高效率功率转换设备。
5. 各种高频谐振拓扑结构，例如 LLC 和相移全桥电路。
CESD123C120UJ-M
CESD153P120UM-M
CESD203C120UM-M
