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MMBFJ176 发布时间 时间:2025/5/23 10:52:13 查看 阅读:4

MMBFJ176是一种NPN型高频开关晶体管,属于MMBT系列的改进型号。该晶体管采用小型SOT-23封装形式,适合用于空间受限的应用场景。其主要应用于高频信号切换、脉宽调制(PWM)、低噪声放大器以及其他需要快速开关特性的电路中。
  MMBFJ176的设计目标是提供更高的频率响应和更低的饱和电压,同时保持较低的噪声水平,这使得它成为许多通信设备和消费类电子产品中的理想选择。

参数

集电极-发射极击穿电压:40V
  集电极电流:-200mA
  直流电流增益(hFE):80~250
  最大耗散功率:310mW
  过渡频率(fT):800MHz
  存储温度范围:-65℃~150℃
  工作结温范围:-55℃~150℃

特性

1. 高频性能优越,过渡频率可达800MHz,适用于高频开关应用。
  2. 小型SOT-23封装设计,便于在高密度PCB布局中使用。
  3. 低饱和电压(典型值为0.2V@Ic=50mA),可实现更高效的开关操作。
  4. 较高的直流电流增益(80~250),能够有效提升驱动能力。
  5. 可靠性高,工作温度范围广(-55℃至150℃)。
  6. 性能稳定,具有良好的抗干扰能力,适用于低噪声环境。

应用

1. 高频信号切换与处理
  2. 脉宽调制(PWM)控制电路
  3. 消费类电子产品中的音频放大器
  4. 移动通信设备中的射频开关
  5. 低功耗便携式设备的电源管理
  6. 数据传输接口中的电平转换电路

替代型号

MMBT3904, MMBF3904, 2SC2653

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MMBFJ176参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭JFET(结点场效应
  • 系列-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)2mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)-
  • 漏极电流 (Id) - 最大-
  • FET 型P 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id1V @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 电阻 - RDS(开)250 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 包装带卷 (TR)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大225mW
  • 其它名称MMBFJ176-NDMMBFJ176TR