PSMN2R6-60PSQ 时间：2025/9/14 13:50:57 阅读：19

PSMN2R6-60PSQ 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）制造的一款功率MOSFET晶体管。这款器件采用先进的Trench技术，具备低导通电阻和高性能的开关特性，适用于各种高效率电源转换应用，例如DC-DC转换器、电源管理系统和负载开关等。该MOSFET为增强型N沟道器件，具有较高的可靠性和耐用性，能够在恶劣的电气环境中稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：150A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.6mΩ
　　功率耗散（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerSO-10

特性

PSMN2R6-60PSQ 具备多项显著特性，使其在功率MOSFET领域中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为2.6mΩ，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。这一特性在高电流应用中尤为重要，因为它可以降低MOSFET在工作状态下的温升，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　其次，该器件的漏源电压（VDS）为60V，能够满足多种中压功率转换需求，包括服务器电源、通信设备电源和电池管理系统等。此外，其栅源电压（VGS）为±20V，具有较高的栅极耐压能力，能够在栅极驱动电压波动的情况下保持稳定运行。
　　PSMN2R6-60PSQ 的连续漏极电流（ID）为150A，表明其具备较高的电流承载能力，适用于高功率密度的设计。同时，该器件的功率耗散为100W，能够在高负载条件下保持稳定性能。
　　封装方面，该MOSFET采用PowerSO-10封装，具备良好的热管理和空间利用率，适用于紧凑型PCB设计。其工作温度范围为-55°C至175°C，适应广泛的工业和汽车应用环境。

应用

PSMN2R6-60PSQ MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合高效率、高功率密度的电源转换设计。常见的应用场景包括DC-DC转换器、同步整流器、电源管理模块、电机控制电路以及电池管理系统（BMS）等。
　　在服务器和通信设备电源中，该MOSFET可用于高效能的同步整流设计，提升整体电源转换效率，降低热损耗。在电机控制应用中，其高电流承载能力和快速开关特性有助于提高电机控制精度和响应速度。
　　此外，PSMN2R6-60PSQ 也可用于车载电子系统，如车载充电器、启停系统和电池管理系统，满足汽车电子对高可靠性和高温耐受性的要求。在工业自动化设备和可再生能源系统中，该器件同样可作为关键功率开关元件，实现高效能和高稳定性的能量转换。