时间：2025/8/6 8:12:13
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IXGN200N60是由IXYS公司生产的一款高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET设计用于高电压和高电流的应用，具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点。IXGN200N60广泛应用于工业电源、电动车辆、电机控制、可再生能源系统以及高功率开关电源等领域。该器件采用了先进的平面技术，确保了在高电压下的稳定性和效率。此外，IXGN200N60具备良好的热性能，能够在高功率密度条件下长时间运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：200A
导通电阻(Rds(on))：18mΩ
最大功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
栅极电荷(Qg)：200nC
输入电容(Ciss)：3800pF
反向恢复时间(trr)：120ns
漏源击穿电压(BVdss)：600V
IXGN200N60具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为18mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达200A的连续漏极电流，适用于大电流负载场合。此外，IXGN200N60的高耐压能力（600V）使其适用于高电压开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。
该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。同时，其快速开关特性（栅极电荷仅为200nC）有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。IXGN200N60还具备良好的抗雪崩能力和过热保护功能，确保在严苛工作环境下的稳定性与可靠性。
在动态特性方面，IXGN200N60的输入电容为3800pF，反向恢复时间为120ns，这使得其在高频开关应用中表现良好，减少了开关延迟和能量损耗。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种工业和恶劣环境条件下的应用。
IXGN200N60广泛应用于需要高电压和高电流能力的电子系统中。其主要应用包括工业电源、UPS（不间断电源）、电动车辆（如电动汽车和电动自行车的电机控制器）、太阳能逆变器、风力发电系统、电机驱动器以及高功率开关电源等。在这些应用中，IXGN200N60的低导通电阻和高耐压特性有助于提高系统的整体效率和可靠性。
此外，该MOSFET也适用于各种功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器、逆变器拓扑结构（如半桥和全桥电路）以及高功率负载开关设计。由于其具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，IXGN200N60特别适合在高温和高负载环境下运行的设备中使用。
在电动汽车和工业自动化领域，IXGN200N60可用于电机控制和电池管理系统，提供高效、稳定的功率开关性能。其快速开关特性和低导通损耗使其成为高效率功率转换系统中的理想选择。
IXGN200N60BDA2, IXGN200N60C2, IXFN200N60P, IXYS12N60C3
