容量：512MB
　　类型：DDR3 SDRAM
　　数据速率：800Mbps
　　电压：1.5V（标准）
　　组织结构：x16
　　封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数：54pin
　　工作温度范围：0°C 至 85°C
　　时钟频率：400MHz
　　数据预取：8n预取
　　刷新周期：64ms

HMT351S6EFR8C-PB 的核心特性之一是其基于DDR3技术的高性能数据传输能力，支持高达800Mbps的数据速率，使其适用于需要快速数据处理的应用场景。其x16配置意味着该芯片的I/O宽度为16位，有助于提升数据吞吐量。此外，采用FBGA封装技术不仅有助于提高芯片的电气性能，还能在有限的空间内实现更高的集成度，适合用于紧凑型电子设备。
　　该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不牺牲数据完整性的前提下降低功耗。其标准工作电压为1.5V，相较于前一代DDR2存储器，功耗更低，效率更高。工作温度范围为0°C至85°C，表明其具备良好的环境适应性，适用于多种工业和消费类应用。
　　另外，该DRAM模块具备较强的稳定性和兼容性，广泛支持各种主流控制器和平台，有助于提升系统整体性能和可靠性。

HMT351S6EFR8C-PB 主要应用于高性能嵌入式系统、图形加速卡、网络设备、服务器模块以及工业控制设备等。其高速度和低功耗的特性使其非常适合用于图形处理单元（GPU）、数字信号处理器（DSP）和网络处理器等对内存带宽要求较高的设备。此外，该芯片也常用于高端消费类电子产品，如游戏主机、智能电视和高端平板电脑中，以提供更流畅的操作体验。
　　由于其紧凑的FBGA封装形式，该芯片也适用于空间受限的便携式设备，例如嵌入式工控主板、车载信息娱乐系统和工业自动化控制器等。其良好的热稳定性和电气性能也使其成为工业和通信设备中理想的内存解决方案。

HMT351S6EFR8C-PB 的替代型号包括 HMT351S6AFR8C-PB 和 HMT351S6EFR8A-PB。这两个型号在功能、容量和封装上基本一致，但在工作频率或电压规范上略有不同，可根据具体应用需求进行选择。此外，若需要更大容量的替代方案，可考虑 1GB 容量的 HMT451S6EFR8C-PB。