类型：MOSFET
　　通道类型：双 N 沟道
　　漏源电压 (Vds)：30V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　连续漏极电流 (Id)：1.4A @ 10V Vgs
　　导通电阻 (Rds(on))：35mΩ @ Vgs = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TDFN-8

NTLJS14D0P03P8ZTAG 具备多项优异性能，首先其双 N 沟道结构允许在有限的空间内实现多个功能，提升了集成度并减少了 PCB 的面积占用。
　　其次，该 MOSFET 采用了先进的 Trench 工艺技术，使得导通电阻 (Rds(on)) 非常低，在 10V 栅极驱动下仅为 35mΩ，从而降低了功率损耗，提高了效率。
　　此外，该器件的最大连续漏极电流可达 1.4A，在低电压条件下仍能保持稳定运行，适用于便携式电子设备及节能型系统设计。
　　其宽泛的工作温度范围（从 -55°C 到 +150°C）也增强了器件在极端环境下的可靠性，确保在各种工业应用中都能稳定运行。
　　最后，NTLJS14D0P03P8ZTAG 采用无铅环保封装，符合 RoHS 标准，适合绿色电子产品设计。

NTLJS14D0P03P8ZTAG 广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它可用于高效 DC-DC 转换器、负载开关控制等场景，帮助降低能耗并提升系统效率。
　　在移动设备领域，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，这款 MOSFET 可作为关键的功率开关元件，支持快速响应和低功耗运行。
　　此外，它也适用于工业控制系统、电机驱动器和传感器接口电路，在保证稳定性和耐用性的同时，满足小型化设计需求。
　　由于其出色的热性能和电气特性，该器件还可用于汽车电子系统中的辅助电源管理和车载充电模块。

Si2301DS, BSS138K