时间：2025/9/14 20:27:01
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PSMN2R6-60PS是一款由Nexperia（原恩智浦半导体分拆出来的公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效功率转换应用，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。PSMN2R6-60PS广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制等领域。该MOSFET采用先进的Trench技术制造，能够在高频率下工作，同时保持较低的开关损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：140A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：2.6mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.8V至3.0V
最大功耗（Ptot）：170W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
PSMN2R6-60PS具有多项优异特性，使其适用于高性能功率管理系统。
首先，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）仅为2.6mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。这对于高电流应用场景尤为重要，如电源转换器和电机驱动器。
其次，该器件的最大漏源电压为60V，最大漏极电流可达140A，具备良好的高功率承载能力。其先进的Trench结构优化了电场分布，提高了器件的耐压性能和可靠性。
此外，PSMN2R6-60PS的栅极阈值电压范围为1.8V至3.0V，使其适用于多种驱动电路设计，包括低压微控制器或数字控制器的直接驱动。该MOSFET还具备快速开关能力，有助于降低开关损耗，提高系统效率。
该器件采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具备优异的热管理性能，可有效散热，延长器件使用寿命。该封装形式也便于自动化生产和高密度PCB布局。
最后，PSMN2R6-60PS的工作温度范围宽达-55℃至+175℃，适应多种复杂环境条件，适用于工业级和汽车级应用。
PSMN2R6-60PS适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下领域：
在电源管理方面，该MOSFET广泛用于同步整流型DC-DC转换器、降压（Buck）变换器和升压（Boost）变换器，提供高效能的电压转换方案。
在工业控制应用中，PSMN2R6-60PS可用于电机驱动器、伺服控制系统和可编程逻辑控制器（PLC），实现精确的负载控制和高效的能量管理。
在电池管理系统中，该器件可作为负载开关或电池保护电路的一部分，用于高效充放电管理和电池均衡。
此外，PSMN2R6-60PS也适用于服务器电源、通信设备电源、UPS不间断电源系统和光伏逆变器等高可靠性、高效率要求的应用场景。
由于其优异的热性能和高电流承载能力，PSMN2R6-60PS也可用于汽车电子系统，例如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统等。
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"PSMN3R4-60PS",
"PSMN4R2-60YS",
"IPB061N06N3",
"FDMS86180",
"SiSS26DN"
]
