时间：2025/8/6 13:01:40
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IXFN230N10 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于需要高电流和高电压处理能力的电源转换应用。该器件设计用于高效地开关大电流负载，适用于诸如电源供应器、电机控制、电池充电器以及 DC-DC 转换器等应用场景。IXFN230N10 采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：230A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：约 2.2mΩ（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
最大功耗（PD）：500W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：TO-247
IXFN230N10 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。其 RDS(on) 值在最大工作条件下仍能保持在 2.2mΩ 左右，非常适合高电流应用场景。该 MOSFET 具有高耐压能力，最大漏源电压为 100V，确保在高压环境下仍能稳定运行。
此外，IXFN230N10 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了卓越的开关性能和热稳定性。它能够在高温度条件下保持良好的导电性能，适用于高温工作环境。TO-247 封装设计不仅有助于良好的散热，还提供了优良的机械稳定性和易于安装的特性。
该器件还具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。这一特性使其在电机控制和电源管理应用中表现出色。IXFN230N10 还具有较低的栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗，提高了高频应用中的性能。
IXFN230N10 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：电源供应器中的同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、逆变器、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动车充电系统）。其高电流和高耐压特性使其在需要高效能功率开关的场合中成为理想选择。在这些应用中，IXFN230N10 能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率，并在高温环境下保持稳定的性能。
IXFN260N10, IXFN200N10, IRFP2907, SiR826DP
