PSMN1R4-40YLD 时间：2025/9/15 3:26:28 阅读：5

PSMN1R4-40YLD 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 设计用于高性能功率管理应用，具备低导通电阻、高效率和优异的热稳定性，适合用于电源转换、电机控制、负载开关和电池管理系统等场景。PSMN1R4-40YLD 采用先进的沟槽技术，优化了导通损耗和开关损耗的平衡，使其在高频开关应用中表现尤为出色。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：250A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：1.4mΩ
　　最大功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerSO-10

特性

PSMN1R4-40YLD MOSFET 的核心特性之一是其超低导通电阻（RDS(on)）仅为 1.4mΩ，在高温工作条件下依然能保持稳定的导通性能。这使得该器件在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体系统效率。
　　此外，PSMN1R4-40YLD 具有较高的电流承载能力和良好的热管理能力，得益于其先进的沟槽式 MOSFET 结构和优化的封装设计。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有利于减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。
　　该 MOSFET 还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供更强的可靠性，减少系统设计中对额外保护元件的需求。其栅极驱动电压范围宽泛（通常在 4.5V 至 20V），支持逻辑电平驱动，方便与各种控制器或驱动 IC 配合使用。
　　由于其高可靠性和紧凑的 PowerSO-10 封装，PSMN1R4-40YLD 非常适合用于空间受限但对性能要求苛刻的应用场景，如 DC-DC 转换器、电动工具、电池管理系统（BMS）、汽车电子和工业电机控制。

应用

PSMN1R4-40YLD 广泛应用于多个高性能功率电子领域。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及负载开关电路。
　　在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电器（OBC）、电池保护电路以及电动助力转向系统（EPS）等关键系统中，提供高效、可靠的功率控制。
　　在工业自动化和电机控制中，PSMN1R4-40YLD 可用于 H 桥电机驱动、伺服电机控制器和可编程电源供应器等应用，其高电流能力和低导通电阻有助于提升系统效率并降低温升。
　　此外，该器件也适用于便携式设备和高功率密度系统，如无人机、电动工具和储能系统中的功率管理模块。