TPC8061-H 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET器件,广泛应用于高功率和高效率的电源管理系统中。该器件采用先进的制造工艺,具备优异的导通电阻和快速开关性能,适合用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他高功率电子设备。TPC8061-H采用SMD(表面贴装)封装形式,便于在现代高密度电路板设计中使用。
类型:功率MOSFET
结构:N沟道
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):连续60A
导通电阻(Rds(on)):最大14.5mΩ
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:SMD
功率耗散(Pd):100W
TPC8061-H功率MOSFET具有低导通电阻的特点,这显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。其14.5mΩ的最大Rds(on)值确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。此外,该器件的高栅极耐压能力(±20V)使其在高电压或波动较大的环境中具有更高的可靠性。
该MOSFET具有优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并且采用先进的封装技术,增强了散热能力。TPC8061-H还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高电路响应速度。这种特性在高频开关应用中尤为重要,如DC-DC转换器和PWM电机控制器。
此外,TPC8061-H采用了紧凑的SMD封装,便于自动化生产,同时减少了电路板空间占用,适用于高密度电子设备的设计。其优异的可靠性和稳定性使其成为汽车电子、工业自动化、消费类电子产品等领域中的理想选择。
TPC8061-H广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。在电源管理领域,它常用于同步整流的DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。在电机控制方面,TPC8061-H适用于无刷直流电机驱动和PWM调速控制,提供高效的功率输出和精确的控制能力。该器件还可用于电源适配器、电源模块、LED驱动器以及高性能电源管理单元(PMU)中。
在汽车电子系统中,TPC8061-H可应用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电动车辆的电池管理系统。由于其高耐压和大电流能力,该器件也适用于工业自动化设备中的高功率负载控制和电机驱动模块。此外,在消费类电子产品中,如高性能笔记本电脑、服务器电源和便携式储能设备,TPC8061-H也表现出优异的性能和稳定性。
SiR862ADP, IPPB60R018C7, FDS6680