时间：2025/4/29 16:24:37
阅读：2
DMN63D1LV是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于各种高效能功率转换应用中。其小尺寸封装DFN1006-2（SOT885）使得它在空间受限的设计中非常实用。
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：3.4A
导通电阻(Rds(on))：170mΩ
栅极电荷(Qg)：6nC
总功耗(Ptot)：930mW
工作温度范围(Ta)：-55°C to +150°C
DMN63D1LV的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，其快速开关能力可以降低开关损耗，适合高频操作环境。该器件的小型DFN1006-2封装不仅节省了PCB空间，还具备出色的热性能，可满足严格的散热要求。
由于采用了无引线封装，DMN63D1LV还提供了卓越的电气性能和可靠性，能够应对严苛的应用条件。同时，它的湿气敏感度等级达到MSL1标准，便于存储和焊接过程中的处理。
这款MOSFET广泛应用于消费类电子产品、计算机及外设、通信设备以及工业控制等领域。典型应用包括负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路、电源管理模块等。在这些场景中，DMN63D1LV凭借其高效能表现和紧凑型设计，为工程师提供了理想的解决方案。
DMN63D2LV
DMN63D3LV
