时间：2025/9/14 23:02:32
阅读：5
PSMN1R2-30YLD 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 TrenchMOS 技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和高耐压能力，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。PSMN1R2-30YLD 的主要目标市场包括汽车电子、工业控制、电源转换和电机驱动等应用。该器件采用 5x6mm 的 LFPAK 封装，具备优异的热性能和电气性能，适合高功率密度设计。
类型: N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds): 30V
栅源电压(Vgs): ±20V
漏极电流(Id): 60A
导通电阻(Rds_on): 1.2mΩ
功率耗散(Pd): 120W
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
封装形式: LFPAK 5x6
PSMN1R2-30YLD 的关键特性之一是其超低导通电阻（RDS(on)）仅为 1.2mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件支持高达 60A 的连续漏极电流，具备出色的电流处理能力。在热管理方面，LFPAK 封装提供了优异的热传导性能，使得器件能够在高功率负载下保持稳定运行。
此外，PSMN1R2-30YLD 的漏源耐压为 30V，适用于低压功率应用，如直流电机驱动、电池管理系统、DC-DC 转换器等。其栅极驱动电压范围宽广，支持 4.5V 至 20V 的栅源电压，便于与多种控制器或驱动器配合使用。
PSMN1R2-30YLD 广泛应用于多个领域。在汽车电子中，它常用于电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）和 DC-DC 转换器。在工业控制领域，该器件适用于伺服电机驱动、PLC 输出模块和电源管理系统。
此外，PSMN1R2-30YLD 还适用于高效率电源转换器，如同步整流器、负载开关和功率 MOSFET 阵列。在消费类电子产品中，该器件可用于高功率 USB PD 充电解决方案、便携式设备的电池管理系统以及高性能电源适配器。
SiR142DP, BSC016N04LS, IPB016N04N
