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R6004ENDTL 发布时间 时间:2025/5/7 15:42:44 查看 阅读:10

R6004ENDTL 是一款由 ROHM 公司生产的低饱和压降(Low VCE(sat))NPN 晶体管,专为开关和线性应用设计。该晶体管采用 SOT-23 封装,适合在空间受限的电路中使用。其卓越的电气性能和可靠性使其广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。

参数

集电极-发射极电压:40V
  集电极电流:400mA
  功率耗散:500mW
  直流电流增益(hFE):最小值 100(在 IC=10mA 时)
  过渡频率(fT):250MHz
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:SOT-23

特性

R6004ENDTL 提供了非常低的饱和压降,在高电流下表现尤为突出,能够有效减少功率损耗。
  具有高增益稳定性,确保在各种工作条件下的一致性能。
  它的小型化 SOT-23 封装非常适合便携式设备和其他需要节省空间的应用场景。
  R6004ENDTL 的高频特性和快速开关能力使得它在高速信号切换和脉宽调制(PWM)电路中表现出色。
  此外,它还具有良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工作环境。

应用

R6004ENDTL 常用于以下领域:
  开关电源中的开关元件。
  负载开关和电池保护电路。
  电机驱动和继电器驱动。
  音频放大器和信号调节电路。
  汽车电子系统中的信号处理与控制。
  消费类电子产品中的电源管理单元。

替代型号

R6004BUDKL
  R6004EUTR
  MMBT3904LT1G

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R6004ENDTL参数

  • 现有数量2,521现货
  • 价格1 : ¥11.61000剪切带(CT)2,500 : ¥4.90827卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)980 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)250 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装CPT3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63