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IS43TR16128DL-107MBL 发布时间 时间:2025/9/1 12:45:19 查看 阅读:6

IS43TR16128DL-107MBL 是由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于异步DRAM类别,广泛应用于需要较大内存容量和较高数据访问速度的电子设备中,如网络设备、通信系统、工业控制设备以及嵌入式系统。IS43TR16128DL-107MBL 采用CMOS工艺制造,具有较高的稳定性和较低的功耗特性,适用于多种工业级工作环境。

参数

内存类型:DRAM
  容量:16M x 16 Bit = 256MB
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:54 Pin
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  最大访问时间:107ns
  刷新周期:64ms
  数据输出类型:三态输出
  时钟频率:异步模式运行
  数据速率:107MHz
  封装尺寸:根据TSOP标准规格

特性

IS43TR16128DL-107MBL 是一款高性能的异步DRAM芯片,具有较大的存储容量和高速的数据访问能力,适用于需要较大内存缓冲的应用场景。其采用CMOS制造工艺,能够在较宽的工作电压范围内保持稳定运行,适合多种电源环境。该芯片的16位数据宽度设计使其在数据吞口吐量方面表现出色,非常适合需要高带宽数据传输的系统。此外,IS43TR16128DL-107MBL 具备较长的刷新周期(64ms),能够在降低刷新频率的同时保证数据的完整性,从而减少系统资源的占用。其TSOP封装形式有助于降低芯片的高度,适用于空间受限的电路板布局。该器件符合工业级温度标准(-40°C至+85°C),适用于各种苛刻的工作环境,包括工业自动化、通信基础设施、嵌入式计算平台等。此外,其三态输出设计允许在多设备共享数据总线的情况下实现高效的数据隔离与控制。

应用

IS43TR16128DL-107MBL 常用于需要高速大容量存储缓冲的电子系统中,包括但不限于:网络交换机和路由器、工业控制设备、嵌入式计算机、视频采集与处理系统、通信模块(如基站控制板)、医疗成像设备、测试与测量仪器等。其工业级温度特性和高可靠性使其在工业自动化、航空航天、汽车电子等对稳定性要求较高的领域中具有广泛的应用前景。

替代型号

IS43TR16128AL-107MBL, IS43TR16256AL-107MBL, CY7C1041GN30-10ZSXI, IDT71V1216SA90PFGI

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IS43TR16128DL-107MBL产品

IS43TR16128DL-107MBL参数

  • 现有数量31现货
  • 价格1 : ¥48.26000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)