时间：2025/7/9 10:47:27
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GRT033R61C683KE01D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件具有出色的开关性能和低导通电阻特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、通信设备和工业控制等领域。
这款 GaN 功率晶体管采用了增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，能够提供更高的工作频率和更低的能量损耗，同时简化了电路设计并提升了系统整体效率。
型号：GRT033R61C683KE01D
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极阈值电压：2.5V 至 5V
开关速度：纳秒级
封装形式：TO-247 或 DFN8
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GRT033R61C683KE01D 具备以下主要特性：
1. 高效的开关性能，支持高达数兆赫兹的工作频率，显著优于传统硅基 MOSFET；
2. 极低的导通电阻，有效减少传导损耗，提升整体效率；
3. 增强型场效应结构确保器件在零栅极电压下保持关闭状态，提高安全性与可靠性；
4. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性；
5. 支持宽禁带半导体材料（如 GaN），具备更优的热稳定性和耐压能力；
6. 可以在高温环境下稳定运行，适用于严苛工况下的电力电子应用。
GRT033R61C683KE01D 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器和逆变器设计；
2. 数据中心及服务器电源管理系统；
3. 太阳能微逆变器和储能系统中的高效功率转换；
4. 电动汽车车载充电器和电机驱动控制器；
5. 工业自动化设备中的开关电源模块；
6. 无线充电和快充技术中的高性能开关元件。
GXT033R61C683KE01D
GRT033R61C683LE01D
GST033R61C683KE01D
