PSMN1R2-30YLC 时间：2025/5/23 1:23:00 阅读：19

PSMN1R2-30YLC 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由 Nexperia（前身为恩智浦半导体）生产。该器件采用 LFPAK56D 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能转换应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等。其额定电压为 30V，并且具有非常低的导通电阻，有助于降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大连续漏极电流：87A
　　导通电阻：1.2mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　总电容：920pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃

特性

PSMN1R2-30YLC 具有超低导通电阻，这使其在高电流应用场景中表现出色，能够显著减少传导损耗。此外，该器件采用了 LFPAK56D 封装，这种封装形式具备出色的热性能和电气性能，非常适合表面贴装工艺。它还支持高频操作，得益于其较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗。
　　此功率 MOSFET 的雪崩能力和短路耐受能力也经过优化设计，提升了整体的可靠性与稳定性。并且，由于其工作温度范围较广，可以在极端环境条件下使用，例如工业自动化设备或汽车电子系统中。

应用

PSMN1R2-30YLC 广泛应用于需要高效能功率管理的领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（Switching Power Supplies），如 DC-DC 转换器。
　　2. 各类电机驱动电路，例如步进电机和无刷直流电机控制器。
　　3. 高效负载开关，用于保护下游电路免受过流或短路的影响。
　　4. 可再生能源逆变器中的功率级元件。
　　5. 工业控制系统的功率模块部分。
　　总之，这款 MOSFET 凭借其优越的电气性能和封装优势，在任何要求高性能功率切换的应用中都能提供卓越表现。