时间：2025/9/14 7:24:11
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PSMN1R1-25YLC,115 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能功率MOSFET，属于Trench肖特基MOSFET（Trench Schottky MOSFET）技术。该器件主要用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、负载开关和马达控制等场景。该MOSFET采用先进的封装技术，具备低导通电阻、高电流能力和良好的热性能，适用于高密度电源设计。
类型：功率MOSFET
沟道类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：25V
最大漏极电流（ID）：120A（在25°C下）
导通电阻（RDS(on)）：1.1mΩ（最大值，VGS=10V）
栅极电压（VGS）：±12V
功耗（Ptot）：80W
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：表面贴装（SMD）
PSMN1R1-25YLC,115 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），仅为1.1mΩ，这使得在高电流条件下能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件采用了先进的Trench肖特基MOSFET技术，实现了更低的开关损耗和更高的工作频率，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提升整体系统效率。
该MOSFET的封装形式为LFPAK56（也称为Power-SO8），这是一种高性能的表面贴装封装，具有优异的热管理和电流承载能力。这种封装不仅提高了散热性能，还增强了器件在高电流应用中的可靠性。此外，其80W的最大功耗和宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够在高温环境下稳定运行。
PSMN1R1-25YLC,115 还具有良好的栅极稳定性，最大栅极电压为±12V，确保在各种工作条件下不会因过压而损坏。其高电流能力（最大漏极电流120A）使其适用于需要大电流驱动的场合，如电机控制、电源管理模块和服务器电源等。
此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适用于工业级和汽车级应用。
PSMN1R1-25YLC,115 主要用于需要高效率、高电流能力的电源管理系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制、电源管理模块以及服务器和通信设备的电源系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于高密度、高效率的电源设计，如笔记本电脑、平板电脑、移动电源以及车载电子系统等。此外，该器件也可用于工业自动化控制、LED照明驱动和智能电网等应用。
PSMN0R9-25YLC,115, PSMN1R4-25YLC,115, PSMN1R7-25YLC,115, PSMN2R0-25YLC,115
