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2SK3914-01 发布时间 时间:2025/8/9 13:41:53 查看 阅读:16

2SK3914-01 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关应用和低电压电源管理系统。该器件采用了先进的沟槽式工艺,具备较低的导通电阻和优异的开关性能,使其在高效率电源转换器和DC-DC转换器中具有广泛的应用。2SK3914-01通常采用SOT-23或SOT-323等小型封装形式,适合高密度电路板设计。

参数

最大漏极电流(ID):100mA
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  导通电阻(RDS(ON)):约10Ω(在VGS=4.5V时)
  漏极-源极击穿电压(BVDSS):30V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23、SOT-323

特性

2SK3914-01 MOSFET具有多项优异特性,适合多种高频和低功耗应用。
  首先,该器件的低导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时仅为约10Ω,有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。这对于电池供电设备和小型DC-DC转换器尤为重要。
  其次,2SK3914-01的漏源电压(VDS)最大为30V,适用于中等电压的电源控制电路。同时,其最大漏极电流为100mA,能够支持小功率负载的快速开关控制。
  此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和高可靠性,能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作,适合工业级和汽车电子应用。
  封装方面,2SK3914-01采用SOT-23或SOT-323等小型表面贴装封装,节省PCB空间并便于自动化生产。
  最后,该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持标准逻辑电平(如3.3V或5V)直接驱动,简化了外围电路设计。

应用

2SK3914-01 MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中,尤其是在需要高效率、小尺寸和高频操作的场合。
  首先,它常用于便携式电子产品中的DC-DC转换器,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理系统。由于其低导通电阻和高效率,有助于延长电池续航时间。
  其次,该MOSFET可用于负载开关电路,在需要频繁开关控制的场合表现出色,如LED驱动、传感器电源控制和电机驱动电路。
  此外,它还适用于模拟开关、高频振荡器和射频(RF)开关电路,因具备良好的开关特性和低寄生电容,适合高频信号控制。
  在工业自动化和通信设备中,2SK3914-01也常用于低功率电源管理模块和隔离开关电路,确保系统稳定运行。
  最后,在汽车电子领域,如车载娱乐系统、ECU(电子控制单元)和车载充电器中,该器件的高可靠性和宽工作温度范围使其成为理想选择。

替代型号

2SK3914-01的替代型号包括2SK3018和2SK2545,这些型号在参数和封装上具有一定的兼容性,但在具体应用中需注意电气特性和热性能的匹配。

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