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ZVN4306AVSTOA 发布时间 时间：2023/9/6 17:57:31 查看 阅读：165

产品种类：MOSFET小信号

目录

概述

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.45Ohms
汲极/源极击穿电压：60V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：1.1A
功率耗散：850mW
最大工作温度：+150℃

安装风格：ThroughHole
封装/箱体：TO-92
封装：Bulk
最小工作温度：-55℃

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ZVN4306AVSTOA参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C330 毫欧 @ 3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大850mW
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装带卷 (TR)

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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