时间：2025/8/6 22:14:17
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TISP4250H3BJR是一款由STMicroelectronics制造的双向电压抑制二极管（TVS），专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌脉冲的损害而设计。该器件采用先进的硅雪崩技术，具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等优点。TISP4250H3BJR适用于多种通信和工业应用，特别是在需要高浪涌耐受能力的环境中。其SMD（表面贴装）封装形式使其非常适合现代高密度PCB设计。
工作电压：250 V
最大钳位电压：389 V
最大脉冲电流（8/20μs）：50 A
反向关态电压（VRWM）：220 V
最大漏电流：10 μA
响应时间：1 ps
封装类型：SMD
工作温度范围：-55°C至+150°C
TISP4250H3BJR具有出色的电气特性和可靠性，适用于各种恶劣的电磁环境。该器件的双向保护特性使其能够同时保护正负极性的瞬态过电压事件，从而为连接的电路提供全面的保护。其低钳位电压特性确保在瞬态事件发生时，被保护设备的电压不会超过安全范围，从而降低损坏风险。
TISP4250H3BJR采用了高效的热管理设计，能够在多次浪涌事件后保持稳定性能。其高达50A的8/20μs脉冲电流承受能力，使得该器件非常适合用于对浪涌防护要求较高的应用场景，例如通信基础设施、工业控制系统和消费类电子产品中的高敏感电路。
该器件的响应时间极短，仅为1皮秒（ps），可以在瞬态电压发生的极短时间内开始工作，从而提供即时的保护效果。此外，其低漏电流特性（最大10μA）确保在正常工作条件下不会对系统功耗产生显著影响，这在低功耗设计中尤为重要。
采用SMD封装形式的TISP4250H3BJR不仅节省PCB空间，还简化了制造流程，提高了生产效率。该封装还具有良好的机械稳定性和热稳定性，能够在各种环境条件下保持可靠的电气连接。
TISP4250H3BJR广泛应用于需要高水平瞬态电压保护的电子系统中。常见的应用包括工业自动化设备、通信基站、路由器和交换机、电源供应器以及各类测试和测量设备。在工业控制系统中，该器件可以有效保护PLC（可编程逻辑控制器）、传感器和执行器接口免受由电机切换或雷击引起的浪涌损害。
在通信领域，TISP4250H3BJR常用于保护以太网端口、RS-485接口和光纤收发模块。其高浪涌耐受能力和低钳位电压特性使其非常适合用于保护这些高速数据传输接口，防止因静电放电或电快速瞬变导致的数据错误或设备损坏。
此外，该器件还被广泛用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和智能家电中，用于保护USB端口、HDMI接口和电源输入端口。在这些应用中，TISP4250H3BJR不仅提供可靠的保护功能，还能满足现代电子产品对小型化和高集成度的要求。
P6KE220A, SMAJ220A, 1.5KE220A
