时间：2025/6/16 17:05:08
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PSMN1R0-30YLD,115 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的封装技术以提供高效率和可靠性。该器件主要适用于电源管理、电机驱动以及其他需要高效开关的应用场景。
该器件具有低导通电阻的特点，能够在高频开关条件下保持较低的功耗，并且其坚固的设计使其能够适应恶劣的工作环境。
型号：PSMN1R0-30YLD,115
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：LFPAK88 (PowerSON 8x8)
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.0 mΩ
Id（持续漏极电流）：115A
栅极电荷：29 nC
总热阻（结到外壳）：1°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PSMN1R0-30YLD,115 提供了极低的导通电阻，使得其在大电流应用中表现优异。
该器件采用了 LFPAK88 封装，具备良好的散热性能以及机械稳定性。
其超低的 Rds(on) 和高 Id 能力使得它非常适合用于高效能转换器和负载点调节器。
此外，该产品还具有快速开关速度和低栅极电荷，有助于减少开关损耗。
其出色的耐用性和宽泛的工作温度范围，使其成为工业和汽车应用的理想选择。
该器件广泛应用于各种功率转换场合，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC/DC 转换器
3. 电机控制和驱动
4. 工业逆变器
5. 电池管理系统
6. 照明系统中的 LED 驱动器
7. 各种高效能功率管理模块
由于其高电流承载能力和低 Rds(on)，它特别适合需要高效率和高可靠性的应用。
PSMN0R9-30YLD, PSMN1R2-30YLD
