LMBZ5248BLT1G 时间：2025/7/8 8:42:33 阅读：18

LMBZ5248BLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护电子电路免受静电放电（ESD）、雷击和其他瞬态电压过冲的损害而设计。该器件具有快速响应时间、低电容和高浪涌能力，非常适合用于高速数据线、接口电路和通信系统的保护。
　　这款 TVS 器件采用 SOD-323 封装形式，具备单向极性特性，使其适用于直流电源输入保护或单向信号线路防护场景。

参数

工作电压：6V
　　击穿电压：7.6V
　　最大箝位电压：13.9V
　　峰值脉冲电流：39A
　　结电容：7pF
　　响应时间：<1ns
　　漏电流：1μA（@VRWM）
　　封装形式：SOD-323
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

LMBZ5248BLT1G 具备以下主要特性：
　　1. 快速响应时间 (<1ns)，能够及时抑制瞬态电压威胁。
　　2. 低结电容 (7pF)，适合高速信号线路保护，对信号完整性影响较小。
　　3. 高浪涌能力 (39A)，可承受较大瞬态电流冲击而不损坏。
　　4. 小型封装 (SOD-323)，节省 PCB 空间，便于在紧凑设计中应用。
　　5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　6. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，适应各种恶劣环境下的使用需求。
　　7. 单向极性设计，适合直流电源或单向信号线路保护。

应用

LMBZ5248BLT1G 可广泛应用于以下领域：
　　1. USB 接口保护。
　　2. HDMI 和其他高速数据接口的保护。
　　3. 手机、平板电脑及其他便携式电子设备的 ESD 保护。
　　4. 工业控制系统的通信端口保护。
　　5. 汽车电子中的传感器信号线路保护。
　　6. 无线模块及射频前端的瞬态电压保护。
　　7. 直流电源输入端口的保护，防止反向电压和瞬态过压。