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CSD17553Q5A 发布时间 时间:2025/5/6 21:07:12 查看 阅读:10

CSD17553Q5A是德州仪器(TI)推出的一款N沟道增强型碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款器件采用了先进的碳化硅技术,具有出色的开关性能和耐压能力,适用于高效率、高功率密度的电力电子应用。其封装形式为TO-247-4,适合表面贴装和通孔安装。
  CSD17553Q5A的主要特点是低导通电阻和快速开关速度,这使其成为电动汽车充电、太阳能逆变器、电机驱动以及DC-DC转换器等高电压应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:65mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-247-4

特性

CSD17553Q5A是一款基于碳化硅材料的MOSFET,与传统的硅基MOSFET相比,具有更高的击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度。这些特性使其能够显著降低开关损耗和导通损耗,从而提高系统的整体效率。
  此外,该器件还具备优异的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。CSD17553Q5A的四引脚TO-247封装设计允许独立控制源极连接,进一步优化了驱动电路的设计。
  典型优势包括:
  1. 高效开关性能,适用于高频应用场景。
  2. 减少了电磁干扰问题,简化滤波器设计。
  3. 提供卓越的可靠性和耐用性,满足工业和汽车级要求。
  4. 采用碳化硅技术,支持更高电压和更小尺寸设计。

应用

CSD17553Q5A适用于多种高压电源管理应用,具体包括但不限于以下领域:
  1. 电动车车载充电器(OBC)及充电桩
  2. 太阳能光伏逆变器
  3. 工业电机驱动器
  4. DC-DC转换器
  5. 不间断电源(UPS)系统
  6. 高频硬开关或软开关拓扑结构
  由于其高效的能源转换能力和紧凑的设计,这款MOSFET特别适合需要高性能和小型化的电力电子设备。

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CSD17553Q5A参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列NexFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.1 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.9V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3252pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-30602-6