CSD17553Q5A 时间：2025/5/6 21:07:12 阅读：19

CSD17553Q5A是德州仪器（TI）推出的一款N沟道增强型碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这款器件采用了先进的碳化硅技术，具有出色的开关性能和耐压能力，适用于高效率、高功率密度的电力电子应用。其封装形式为TO-247-4，适合表面贴装和通孔安装。
　　CSD17553Q5A的主要特点是低导通电阻和快速开关速度，这使其成为电动汽车充电、太阳能逆变器、电机驱动以及DC-DC转换器等高电压应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：1200V
　　连续漏极电流：8A
　　导通电阻：65mΩ
　　栅极电荷：85nC
　　开关速度：非常快
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-247-4

特性

CSD17553Q5A是一款基于碳化硅材料的MOSFET，与传统的硅基MOSFET相比，具有更高的击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度。这些特性使其能够显著降低开关损耗和导通损耗，从而提高系统的整体效率。
　　此外，该器件还具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。CSD17553Q5A的四引脚TO-247封装设计允许独立控制源极连接，进一步优化了驱动电路的设计。
　　典型优势包括：
　　1. 高效开关性能，适用于高频应用场景。
　　2. 减少了电磁干扰问题，简化滤波器设计。
　　3. 提供卓越的可靠性和耐用性，满足工业和汽车级要求。
　　4. 采用碳化硅技术，支持更高电压和更小尺寸设计。

应用

CSD17553Q5A适用于多种高压电源管理应用，具体包括但不限于以下领域：
　　1. 电动车车载充电器（OBC）及充电桩
　　2. 太阳能光伏逆变器
　　3. 工业电机驱动器
　　4. DC-DC转换器
　　5. 不间断电源（UPS）系统
　　6. 高频硬开关或软开关拓扑结构
　　由于其高效的能源转换能力和紧凑的设计，这款MOSFET特别适合需要高性能和小型化的电力电子设备。