CSD17553Q5A是德州仪器(TI)推出的一款N沟道增强型碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款器件采用了先进的碳化硅技术,具有出色的开关性能和耐压能力,适用于高效率、高功率密度的电力电子应用。其封装形式为TO-247-4,适合表面贴装和通孔安装。
CSD17553Q5A的主要特点是低导通电阻和快速开关速度,这使其成为电动汽车充电、太阳能逆变器、电机驱动以及DC-DC转换器等高电压应用的理想选择。
最大漏源电压:1200V
连续漏极电流:8A
导通电阻:65mΩ
栅极电荷:85nC
开关速度:非常快
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:TO-247-4
CSD17553Q5A是一款基于碳化硅材料的MOSFET,与传统的硅基MOSFET相比,具有更高的击穿电压、更低的导通电阻和更快的开关速度。这些特性使其能够显著降低开关损耗和导通损耗,从而提高系统的整体效率。
此外,该器件还具备优异的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。CSD17553Q5A的四引脚TO-247封装设计允许独立控制源极连接,进一步优化了驱动电路的设计。
典型优势包括:
1. 高效开关性能,适用于高频应用场景。
2. 减少了电磁干扰问题,简化滤波器设计。
3. 提供卓越的可靠性和耐用性,满足工业和汽车级要求。
4. 采用碳化硅技术,支持更高电压和更小尺寸设计。
CSD17553Q5A适用于多种高压电源管理应用,具体包括但不限于以下领域:
1. 电动车车载充电器(OBC)及充电桩
2. 太阳能光伏逆变器
3. 工业电机驱动器
4. DC-DC转换器
5. 不间断电源(UPS)系统
6. 高频硬开关或软开关拓扑结构
由于其高效的能源转换能力和紧凑的设计,这款MOSFET特别适合需要高性能和小型化的电力电子设备。
CSD17563Q5A