时间：2025/9/14 20:36:32
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PSMN041-80YLX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 Trench 工艺，具备高效率、低导通电阻和优异的热性能，适用于多种电源管理和功率转换应用。PSMN041-80YLX 采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装形式，这种封装具有出色的散热性能和较低的封装电阻，适用于高电流和高效率要求的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：80V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：100A
导通电阻(RDS(on))：0.41mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on))：0.52mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散(PD)：94W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
PSMN041-80YLX 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），在 VGS=10V 时仅 0.41mΩ，在 VGS=4.5V 时为 0.52mΩ，这使得该器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其采用的 LFPAK56 封装技术不仅提供了优异的散热能力，还支持双面散热，从而进一步增强了热性能。
该 MOSFET 具有较高的连续漏极电流能力（100A），适用于需要高功率密度的设计。其最大漏源电压为 80V，适合用于 48V 系统中的功率转换和负载开关应用，如服务器电源、电信设备、工业电机控制和电池管理系统（BMS）等。
此外，PSMN041-80YLX 还具备较高的栅极电压容限（±20V），提高了器件在开关过程中的稳定性和可靠性。该器件符合 RoHS 标准，并具备良好的抗静电能力，适用于高可靠性要求的应用场景。
PSMN041-80YLX 广泛应用于多种高功率密度和高效率需求的电子系统中。典型应用包括服务器和电信设备的电源转换模块、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件也适用于需要高效能功率控制的工业自动化设备和新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统。
此外，PSMN041-80YLX 的 LFPAK56 封装形式使其适合用于表面贴装技术（SMT）生产线，提高制造效率并降低生产成本。在汽车电子领域，该器件也可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车载 DC-DC 转换器等应用场景。
PSMN043-80YLC, PSMN059-80YLD, PSMN059-80YSF, PSMN068-80YSD
