LRN06N 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率电源管理和功率转换应用,具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。LRN06N 采用紧凑的 PowerFLAT 5x6 封装,提供良好的热管理和空间利用率,适用于现代电子设备中对空间和效率有严格要求的应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(Id):50A
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大 6.8mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):60nC
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:PowerFLAT 5x6
LRN06N 的核心特性在于其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高整体效率。其最大 Rds(on) 为 6.8mΩ,在高电流应用中表现优异。
此外,该器件具有高电流处理能力,额定漏极电流可达 50A,适合高功率密度设计。
LRN06N 还具备出色的热性能,得益于 PowerFLAT 5x6 封装的优异散热能力,能够在高负载条件下保持稳定运行。
其栅极电荷(Qg)为 60nC,确保了快速的开关性能,适用于高频开关应用。
该 MOSFET 支持宽范围的栅源电压(±20V),具有良好的驱动兼容性,并能在恶劣的温度环境下工作(-55°C ~ +175°C)。
此外,LRN06N 还具有高雪崩能量耐受能力,增强了在极端条件下的可靠性。
LRN06N 广泛应用于各类电源管理系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电动工具、工业自动化设备和汽车电子系统。
在开关电源中,LRN06N 可作为主开关或同步整流器,提供高效率和低损耗的功率转换。
在 DC-DC 转换器中,该器件能够实现高频率操作,减小电感和电容的尺寸,提高功率密度。
作为负载开关,LRN06N 可用于控制高电流负载的通断,适用于服务器、存储设备和工业控制系统。
在汽车电子领域,LRN06N 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块等应用。
由于其优异的热性能和可靠性,LRN06N 也适用于需要高稳定性和耐久性的工业和嵌入式系统。
STL06N, STP50N06, FDP06N, IRFZ44N