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NTHD3101FT3G 时间：2023/12/12 10:08:00 阅读：200

描述:20V,4.4A,P沟道MOSFET,带肖特基二极管

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80
最大漏极电流Id(on)(A):4.400
通道极性:P
封装/温度(℃):ChipFET/-55~150

NTHD3101FT3G推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

NTHD3101FT3G
深圳市威尔健半导体有限公司
8500
ON Semiconductor
2025+/8SMD Flat Lead

NTHD3101FT3G
深圳市跃创芯科技有限公司
25000
ON/安森美
22+/CHIPFET

NTHD3101FT3G
深圳市威雅利发展有限公司
8000
ON Semiconductor
23+/8SMD Flat Lead

NTHD3101FT3G
深圳市芯齐壹科技有限公司
25000
ON/安森美
22+/CHIPFET

NTHD3101FT3G
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
ON Semiconductor
2024+/8SMD Flat Lead

NTHD3101FT3G
深圳市腾桩电子有限公司
8000
ON Semiconductor
25+/8SMD Flat Lead

NTHD3101FT3G
深圳市硅宇电子有限公司
15988
ON Semiconductor(安森美)
25+/DPAK

NTHD3101FT3G
蓝界科技（深圳）有限公司
2501
ON Semiconductor
16+/ChipFET

NTHD3101FT3G
深圳市天卓伟业电子有限公司
8500
ON Semiconductor
2025+/8SMD Flat Lead

NTHD3101FT3G
深圳市吉铭贸易有限公司
50000
ON Semiconductor
2020+/MOSFET PCH 20V 3.2A CHIPFET

NTHD3101FT3G
安富利（深圳）商贸有限公司
10000
ON Semiconductor
22+/ChipFET

NTHD3101FT3G
深圳市世纪成达电子科技有限公
8000
ON Semiconductor
22+/8SMD Flat Lead

NTHD3101FT3G
深圳市万芯时代贸易有限公司
1
回收IC
25+/N/A

NTHD3101FT3G
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8913
ON Semiconductor
23+/8SMD Flat Lead

NTHD3101FT3G
深圳市科鑫美电子有限公司
9000
ON Semiconductor
22+/8SMD Flat Lead

NTHD3101FT3G
深圳市芯创恒微电子有限公司
3000
ON
20+/ChipFET

NTHD3101FT3G
艾润香港电子有限公司
21000
ON
13+/-

NTHD3101FT3G
深圳市英德州科技有限公司
15500
onsemi
23+/ChipFET

IC词条百科

NTHD3101FT3G参数

标准包装10,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列-
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 3.2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs7.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds680pF @ 10V
功率 - 最大1.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD，扁平引线
供应商设备封装ChipFET?
包装带卷 (TR)

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