时间：2025/9/14 9:27:50
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PSMN034-100BS,118是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于功率转换、电源管理和负载开关等应用。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，提供了优异的导通电阻（RDS(on)）和开关性能，适用于高效率电源系统。其封装形式为TO-220AB，具备良好的热管理和高功率密度。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：3.4mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
PSMN034-100BS,118具有非常低的导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统效率。其先进的Trench MOSFET技术使其在高频开关应用中表现出色，具备快速开关速度和低门极电荷（Qg）。该器件还具有良好的热稳定性，TO-220封装可提供优异的散热性能，适合在高电流和高温环境下运行。此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了在极端条件下的可靠性。
该MOSFET的栅极设计具有较高的抗干扰能力，能够承受较大的dv/dt变化，适用于复杂的电磁环境。同时，其稳定的电气特性在宽温度范围内保持良好，确保了在各种工作条件下的稳定性与一致性。其高耐压能力（100V）使得它在DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和电池管理系统等应用中表现出色。
PSMN034-100BS,118广泛应用于各类功率电子系统中，如高效电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的负载开关。该器件也适用于高功率LED照明、电动工具和不间断电源（UPS）系统等场景。
SiHF120N100D-SiHFP120N100D、STP120N10F7-1、FDP120N10A
