时间：2025/5/22 19:49:10
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GR442QR73D681KW01L 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET芯片，属于U-MOSXIII系列。该器件采用了先进的沟槽式结构技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源转换和电机驱动应用。其封装形式为TO-263-3（DPAK），适合表面贴装工艺，从而提高了散热性能和可靠性。
这款功率MOSFET在消费电子、工业控制以及汽车电子领域均有广泛应用，尤其是在需要高效能和低功耗的场景中表现优异。
型号：GR442QR73D681KW01L
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.9mΩ
IDS（连续漏极电流）：125A
VGS（栅源极电压）：±20V
f（工作频率）：最高可达500kHz
封装：TO-263-3 (DPAK)
工作温度范围：-55℃ to +175℃
GR442QR73D681KW01L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够有效降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高开关速度，得益于低输入电容和优化的栅极设计，可以满足高频应用需求。
3. 强大的电流承载能力，最大支持125A的连续漏极电流，确保在大电流负载下稳定运行。
4. 先进的沟槽式MOSFET结构提升了器件的可靠性和耐用性。
5. 支持宽范围的工作温度（-55℃到+175℃），适合恶劣环境下的应用。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
GR442QR73D681KW01L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器，例如降压或升压拓扑结构。
3. 电机驱动器，用于高效控制各类电机的运转。
4. 汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、启动发电机和车载充电器。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 太阳能逆变器及其他可再生能源转换装置。
7. 各种需要高效能功率管理的消费类电子产品。
GR442QR73D681KWL01L, GR442QR73D681KW01H
