类型：NPN 型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）
　　频率响应（fT）：250MHz

CRO2000A-LF 具备多项优良特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，其高电流增益（hFE）范围为 110 至 800，根据不同的分档（如 O、Y1、Y2、GR、BL、SL 等），可以满足不同电路对增益精度的需求。这使得晶体管在放大电路中具有良好的线性度和稳定性。
　　其次，该晶体管的工作频率高达 250MHz，适用于射频（RF）和高速开关应用。其快速响应能力使其在数字逻辑电路、脉冲电路和高频放大器中表现出色。此外，其最大集电极电流为 200mA，足以支持中等功率的负载控制。
　　在可靠性方面，CRO2000A-LF 的最大工作温度为 150°C，具备良好的耐热性能，能够在较为严苛的环境中稳定运行。其 SOT-23 封装不仅体积小巧，适合高密度 PCB 设计，还具有良好的热传导性能，有助于散热。
　　另外，该晶体管符合 RoHS 标准，属于无铅和无卤素的环保器件，符合现代电子产品的环保要求，适用于消费电子、工业控制、通信设备等多种领域。

CRO2000A-LF 主要用于以下应用场景：
　　1. **信号放大电路**：由于其高增益和高频响应特性，CRO2000A-LF 常用于音频放大器、射频放大器以及传感器信号调理电路中。
　　2. **开关电路**：在数字电路中，CRO2000A-LF 可用作电子开关，控制 LED、继电器、小型电机等负载的通断。
　　3. **电源管理**：该晶体管可用于 DC-DC 转换器、稳压电路以及电池管理系统中的控制部分。
　　4. **接口电路**：CRO2000A-LF 可用于不同电压电平之间的信号转换，例如在微控制器与外围设备之间建立通信接口。
　　5. **工业控制**：在自动化控制系统中，该晶体管可用于传感器信号处理、继电器驱动以及 PLC 控制电路中。

MMBT3904LT1G, 2N3904, BC847, 2N2222A