NSR10404NXT5G 时间：2025/6/18 23:45:01 阅读：4

NSR10404NXT5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件采用了先进的制造工艺，专为需要高效率和低功耗的应用场景设计。其典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。该器件具有出色的导通电阻和开关特性，能够显著提高系统性能并降低功耗。
　　NSR10404NXT5G 采用小型化封装，使其非常适合空间受限的设计环境，同时具备良好的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：4A
　　导通电阻：7.5mΩ
　　栅极电荷：9nC
　　开关时间：开启时间3ns/关闭时间12ns
　　工作结温范围：-55℃至175℃
　　封装形式：SOT-23

特性

NSR10404NXT5G 的主要特性如下：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，从而提升效率。
　　2. 快速开关速度，适合高频应用，有效降低开关损耗。
　　3. 小型化的 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
　　4. 高度可靠的电气性能，在极端温度范围内表现稳定。
　　5. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。

应用

NSR10404NXT5G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 各类消费电子设备中的负载开关和保护电路。
　　3. 工业控制和自动化系统中的信号切换与隔离。
　　4. 电池管理系统的充放电控制。
　　5. LED 驱动器中的高效开关元件。
　　6. 电机驱动和逆变器中的功率级开关。