DRV91680RGZR 时间：2025/5/9 16:51:45 阅读：7

DRV91680RGZR 是德州仪器 (TI) 推出的一款高性能的汽车级栅极驱动器芯片，专为驱动碳化硅 (SiC) 或氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 设计。该芯片具有强大的驱动能力、高可靠性以及出色的抗噪性能，适用于各种高功率密度和高频开关应用，如电动汽车 (EV) 的逆变器、车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器等。
　　DRV91680RGZR 提供了快速开通和关断时间，能够显著减少开关损耗，并具备全面的保护功能，确保系统在极端工作条件下的安全运行。

参数

封装：HTSSOP
　　输入电压范围：4.5V 至 30V
　　峰值输出源电流：2A
　　峰值输出灌电流：2A
　　传播延迟：30ns（典型值）
　　共模瞬态抗扰度 (CMTI)：±100kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 150°C
　　隔离耐压：5kVrms

特性

DRV91680RGZR 的主要特性包括：
　　1. 高速驱动能力：支持高达 2MHz 的开关频率，适合高频 SiC 和 GaN 器件。
　　2. 强大的电流驱动能力：提供 2A 峰值源电流和 2A 峰值灌电流，以满足高功率应用需求。
　　3. 低传播延迟：仅为 30ns（典型值），有助于降低开关损耗。
　　4. 出色的 CMTI 性能：高达 ±100kV/μs 的共模瞬态抗扰度，有效抑制噪声干扰。
　　5. 完善的保护功能：包括欠压锁定 (UVLO)、过流保护 (OCP)、短路保护 (SCP) 和过温保护 (OTP)，提高了系统的可靠性和安全性。
　　6. 符合 AEC-Q100 标准：确保其在汽车环境中的稳定性和耐用性。

应用

DRV91680RGZR 广泛应用于以下领域：
　　1. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的牵引逆变器。
　　2. 车载充电器 (OBC) 和双向 DC-DC 转换器。
　　3. 工业电机驱动和可再生能源转换系统。
　　4. 高频电源模块和 UPS 系统。
　　5. 其他需要高性能 SiC 和 GaN FET 驱动的应用场景。