时间：2025/5/8 8:36:11
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SIHG039N60EF-GE3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司旗下品牌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于多种开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。其额定电压为 60V，并在高频开关应用中表现出优异的性能。
该器件采用了 PowerPAK? 1212-8S 封装，具备超小型化和低热阻的特点，非常适合对空间和散热要求较高的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：7.5A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：3.9mΩ
栅极电荷：24nC
反向恢复时间：19ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerPAK? 1212-8S
SIHG039N60EF-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，得益于其低栅极电荷和短反向恢复时间，适合高频应用。
3. 采用先进的 TrenchFET Gen III 技术，优化了芯片结构以提供更好的电气性能。
4. PowerPAK? 1212-8S 封装具有低寄生电感和出色的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 可靠性高，经过严格的测试和筛选，确保长期稳定运行。
SIHG039N60EF-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器，包括降压、升压和升降压拓扑。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的电机驱动和控制。
5. 消费类电子产品的充电器和适配器。
6. 通信设备中的电源管理模块。
SIHG040N60EF-GE3
IRF6636ZPBF
FDP5500NL
AO3400A
