类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：150A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：1.9mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：2.7mΩ
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：LFPAK56（Power-SO8）

PSMN019-100YLX 以其卓越的电气性能和封装设计在功率 MOSFET 市场中占据一席之地。首先，该器件采用了 Nexperia 的先进 Trench 工艺，使其在相同的封装尺寸下实现了极低的导通电阻（Rds(on)）。在 Vgs = 10V 时，其 Rds(on) 仅为 1.9mΩ，在 Vgs = 4.5V 时也仅略增至 2.7mΩ，这使得它在低电压应用中也表现出色，尤其是在高电流负载条件下，能有效降低功率损耗和发热。
　　其次，该器件的额定漏极电流在 25°C 下高达 150A，具有良好的电流承载能力。其漏源电压额定值为 100V，适合用于中高压功率转换系统，如 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和负载开关等。此外，该 MOSFET 的栅源电压额定值为 ±20V，使其在栅极驱动设计上具有更高的灵活性和稳定性，能够承受一定的过压和瞬态电压冲击。
　　PSMN019-100YLX 采用 LFPAK56 封装，这是一种无引脚、双侧散热的功率封装形式，具有优异的热传导性能和较低的热阻。这种封装形式有助于提高器件在高功率条件下的热稳定性和长期可靠性，同时支持表面贴装工艺，提升了 PCB 组装的效率和良率。此外，LFPAK 系列封装还具备良好的机械强度和抗振动能力，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用环境。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等多种高温或低温应用场合。其最大功率耗散为 125W，进一步确保了其在高功率密度设计中的适用性。

PSMN019-100YLX 适用于多种高功率和高效率要求的应用场景。首先，它广泛用于 DC-DC 转换器中，尤其是在同步整流拓扑中，作为主开关或同步整流管使用，可显著降低导通损耗并提高整体效率。其次，该器件在电机控制和驱动电路中也有广泛应用，例如在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动器中，作为功率开关使用，能够提供高电流能力和快速开关性能。
　　此外，PSMN019-100YLX 也非常适合用于电池管理系统（BMS），例如在电动汽车、储能系统和不间断电源（UPS）中，作为电池充放电控制开关。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提高系统能效，并有助于延长电池寿命。
　　在工业自动化和伺服驱动系统中，该 MOSFET 可用于高频开关电源和负载开关，实现快速响应和高效能管理。由于其优异的热性能和封装设计，该器件也适用于需要高可靠性和高稳定性的汽车电子应用，如车载充电器（OBC）、DC-AC 逆变器和车载电机控制模块。

SiSS190N10N-C-E3, IPB019N10N3 G, FDP190N10A