类型：射频功率晶体管
　　材质：硅（Si）
　　封装形式：表面贴装（SMT）
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：20V
　　最大集电极电流（Ic）：3.8A
　　最大功率耗散（Ptot）：50W
　　频率范围：800MHz - 1GHz
　　增益：约14dB @ 900MHz
　　输出功率：38W @ 900MHz
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

GTCA38-900M-R20射频功率晶体管具备多项优越特性，使其在高频通信系统中表现优异。首先，该器件工作频率范围覆盖800MHz至1GHz，特别适合900MHz频段的无线通信应用，如GSM、CDMA和WiMAX系统。其次，其高输出功率能力（38W）使其在基站和无线基础设施中能够高效地进行信号放大，提升系统整体性能。
　　此外，GTCA38-900M-R20具有较高的功率增益（约14dB），降低了前级驱动的需求，从而简化了电路设计并提高了系统集成度。该晶体管还具备良好的线性度和失真控制能力，确保在多载波和宽带应用中保持信号完整性，减少互调干扰，提高通信质量。
　　该器件采用表面贴装封装（SMT），不仅便于自动化生产和PCB布局，而且在高频下具备良好的散热性能和稳定性。其最大集电极-发射极电压为20V，最大集电极电流为3.8A，最大功率耗散为50W，表明其具备较强的耐压和耐流能力，适用于高可靠性应用场景。工作温度范围从-65°C到+150°C，使得该晶体管能够在极端环境条件下稳定运行。

GTCA38-900M-R20广泛应用于多种射频和无线通信系统中。首先，它常用于无线基站中的功率放大器模块，特别是在GSM 900MHz频段的蜂窝通信系统中，提供高效的信号放大能力。其次，在CDMA和WiMAX等通信标准中，该晶体管也用于构建高线性度、高稳定性的射频功率放大器，以满足多载波和宽带信号的放大需求。
　　此外，GTCA38-900M-R20还可用于工业、科研和医疗（ISM）频段的射频设备，如无线传感器、射频加热设备和测试仪器等。其高输出功率和良好的稳定性使其在远程通信和高功率无线发射设备中表现优异。同时，由于其表面贴装封装形式，适用于高密度PCB布局和自动化生产流程，因此在现代通信设备的设计和制造中具有较高的实用价值。

GTCA30-900M-R20, GTCA40-900M-R20