时间：2025/8/6 8:15:46
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IXGR72N60B3H1 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的高功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能、高可靠性的电源应用设计。该器件采用 TO-247 封装，具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能，适用于工业电源、电机控制、DC-DC 转换器以及不间断电源（UPS）系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：72A（在Tc=100℃时）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.045Ω
栅极电荷(Qg)：约140nC
最大功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-247
IXGR72N60B3H1 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低导通损耗，从而提高整体效率。此外，该MOSFET采用了先进的平面技术，增强了器件的稳定性和可靠性。
该器件具有较高的电流承载能力，可以在高负载条件下保持稳定运行，适用于需要持续高功率输出的工业和电源系统。同时，其快速开关特性可以减少开关损耗，提高转换效率。
TO-247 封装提供了良好的散热性能，使得器件在高功率工作环境下依然能够维持较低的结温，从而延长器件寿命并提高系统稳定性。
IXGR72N60B3H1 还具备较强的抗雪崩能力和高能量耐受性，使其在复杂或恶劣的工作环境中仍能保持良好的性能。
IXGR72N60B3H1 广泛应用于多种高功率电源系统中，包括工业电源、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、焊接设备以及DC-DC转换器等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能开关电源设计的理想选择。此外，该器件也适用于太阳能逆变器和电能质量调节系统，能够在高电压和高电流条件下提供稳定的性能。
IXFH72N60P、IXFP72N60Q、STW72N60DM2、SPW72N60CFD7
