时间：2025/9/14 8:34:08
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PSMN017-30PL,127是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench肖特基技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特性，适用于各种高功率和高频开关应用。这款MOSFET采用标准的TO-220封装，便于散热，适用于需要高可靠性和高效率的功率转换系统。该器件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理和电机控制等领域。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：1.7mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散（Ptot）：84W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
引脚数：3
工艺技术：Trench肖特基
PSMN017-30PL,127采用先进的Trench肖特基技术，具备极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其低RDS(on)特性使得该MOSFET在高电流条件下仍能保持较低的温升，确保稳定运行。此外，该器件支持高开关频率操作，适用于需要快速开关的高频电源转换器应用。
该MOSFET的TO-220封装提供了良好的热管理性能，能够有效地将热量传导至散热器，从而延长器件寿命并提高可靠性。其高电流承载能力和低热阻使其适用于高功率密度设计。
PSMN017-30PL,127具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定，防止因过压或瞬态电压导致的损坏。该器件的栅极氧化层设计增强了其抗静电能力，提高了长期使用的可靠性。
由于其低输入电容和输出电容，该MOSFET在高频开关应用中表现出色，能够减少开关损耗并提高整体系统效率。同时，其稳定的导通阈值电压和低跨导特性有助于实现精确的栅极控制。
PSMN017-30PL,127广泛应用于各类功率电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、工业电源以及汽车电子系统等。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。
在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效率的能量转换。在负载开关应用中，它能够提供快速的开关控制，并减少静态电流损耗。在电机控制和电池管理系统中，该器件能够承受高电流和高频率的切换操作，确保系统的稳定性和安全性。
此外，PSMN017-30PL,127还可用于电源管理IC（PMIC）的外围开关电路、LED驱动器、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统等高功率应用场景。
PSMN022-30PL,127; PSMN039-30PL,127; PSMN059-30PL,127
