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FI168B5538FW-T 发布时间 时间:2025/12/27 10:07:32 查看 阅读:27

FI168B5538FW-T是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,专为高速开关应用设计。该器件采用双二极管配置,具备低正向压降和快速反向恢复特性,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理电路。其紧凑的封装形式使其非常适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用,同时保持良好的热性能和电气性能。该器件广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及便携式电子产品中,作为信号整流、电压钳位、瞬态抑制和电平转换等功能模块的核心元件。由于其符合RoHS标准且不含卤素,因此满足现代绿色电子产品的环保要求。

参数

产品类型:肖特基二极管阵列
  配置:双二极管
  最大重复反向电压(VRRM):30 V
  最大直流反向电压(VR):30 V
  最大正向电流(IF):300 mA
  峰值脉冲电流(IFSM):500 mA
  最大正向电压(VF):550 mV(在300 mA条件下)
  最大反向漏电流(IR):200 μA(在25°C时)
  反向恢复时间(trr):4 ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
  封装类型:SOD-523F
  引脚数:2
  极性:中心抽头共阴极等效结构
  功率耗散(PD):200 mW

特性

FI168B5538FW-T具有优异的高频开关性能,得益于其肖特基势垒结构,该器件实现了极低的正向导通压降,典型值仅为550 mV,在300 mA的工作电流下显著降低了功耗并提升了系统效率。这一特性使其特别适合用于低压直流电源系统中的整流与续流操作,能够有效减少热量积聚,从而提高整体系统的可靠性。
  该器件具备非常快的反向恢复时间,典型值仅为4 ns,远优于传统PN结二极管,因此能够在高频开关环境中迅速响应电压极性变化,避免产生较大的反向恢复电流尖峰,降低电磁干扰(EMI)风险,并提升电源转换效率。这种快速响应能力使其成为开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器和负载保护电路中的理想选择。
  FI168B5538FW-T采用SOD-523F小型化表面贴装封装,尺寸仅为1.2 mm × 0.8 mm × 0.5 mm左右,适合自动化贴片生产流程,支持回流焊工艺,具备良好的机械稳定性和热循环耐久性。该封装还提供了较低的热阻,有助于将内部产生的热量有效传导至PCB,进一步增强器件在持续负载条件下的稳定性。
  该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,可在极端环境温度下稳定运行,适用于汽车电子、工业控制等对温度适应性要求较高的应用场景。同时,其低漏电流特性(最大200 μA)确保了在高温或高阻抗电路中仍能维持良好的关断状态,防止不必要的功耗和误触发。
  此外,该器件符合AEC-Q101车规级认证要求,具备高可靠性,适用于车载信息娱乐系统、LED驱动、电池管理系统等严苛应用场合。其无铅、无卤素的设计也符合国际环保标准,支持绿色制造流程。

应用

该器件常用于便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理,执行电压切换与防反接功能;在通信接口电路中用于ESD保护和信号整形;在DC-DC转换器中作为同步整流辅助二极管或续流二极管使用;也可应用于笔记本电脑主板、USB供电模块、LCD背光驱动电路以及传感器信号调理电路中,提供高效的单向导通与瞬态抑制能力。此外,因其快速响应特性,还可用于高频脉冲检测、逻辑电平移位和箝位电路设计,尤其适合对空间和能效有严格要求的应用场景。

替代型号

RB751V-30, PMEG3030EA, B130WB-13-F, SS12L-TP, SK33

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FI168B5538FW-T参数

  • 现有数量5,000现货
  • 价格1 : ¥6.83000剪切带(CT)5,000 : ¥3.07052卷带(TR)
  • 系列FI
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 频率5.5375GHz 中心
  • 带宽775MHz
  • 滤波器类型带通
  • 纹波-
  • 插损1.2dB
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳0603(1608 公制),3 PC 板
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度(最大值)0.026"(0.65mm)