12N60KL-TA3-T是一款基于MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等领域。其优化的芯片设计和封装形式能够提供较低的导通电阻,从而提高效率并减少发热。此外,该器件具备较高的雪崩击穿能力和快速开关特性,使其非常适合于高可靠性和高性能要求的应用场景。
该型号属于TO-220封装系列,具有良好的散热性能,并且通过了严格的工业级测试标准。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:45nC
输入电容:1300pF
总功耗:175W
工作结温范围:-55℃ to +150℃
12N60KL-TA3-T的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可显著降低传导损耗。
2. 快速开关速度,有助于减少开关损耗。
3. 高耐压能力,确保在高压环境下的稳定运行。
4. 较高的雪崩击穿能力,增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
6. 采用TO-220标准封装,易于安装与维护。
这些特性使得12N60KL-TA3-T成为众多功率转换应用中的理想选择。
12N60KL-TA3-T广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于实现高效的AC-DC或DC-DC转换。
2. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型逆变器中作为核心功率开关元件。
3. 电机驱动:为直流无刷电机或步进电机提供精确的控制和驱动能力。
4. 电池充电器:适用于各种类型的电池充电系统,如电动车电池。
5. 能量回收装置:例如再生制动系统中的能量转换部分。
该器件凭借其卓越的性能和可靠性,在工业自动化、汽车电子以及消费类电子产品中均有广泛应用。
12N60, IRF12N60, STP12NK60Z