时间：2025/6/21 10:49:03
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PSMN005-55P 是一款由 NXP（恩智浦）生产的低导通电阻的功率 MOSFET，属于 PSMN 系列。该器件采用 DPAK 封装（TO-252），适用于多种高效率开关应用。这款 NMOS 器件具有非常低的导通电阻 RDS(on)，在特定条件下能够提供高效的功率转换和开关性能，广泛用于消费电子、工业以及汽车领域。
最大漏源电压 Vds：55V
连续漏极电流 Id：18A
栅源电压 Vgs：±20V
导通电阻 Rds(on)：3.6mΩ（典型值，当 Vgs = 10V 时）
总功耗 Ptot：140W
结温范围 Tj：-55°C 至 +175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
PSMN005-55P 的主要特点是其低导通电阻和高效率。它在 10V 栅极驱动电压下的典型导通电阻仅为 3.6mΩ，这使得器件能够在高电流应用中减少传导损耗。
此外，该 MOSFET 具有快速开关性能，能有效降低开关损耗。其最高工作温度可达 175°C，确保了在极端环境条件下的可靠性。
PSMN005-55P 还具备较低的输入电容 Ciss 和输出电容 Crss，从而进一步优化了动态性能。这些特点使其非常适合要求高效能和高可靠性的应用场合。
PSMN005-55P 被广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、电池保护电路以及逆变器等场景。
在汽车电子中，这款器件可用于电动助力转向系统（EPS）、启动停止系统以及其他车载电源管理系统。
在工业应用中，PSMN005-55P 可用于可再生能源逆变器、不间断电源（UPS）和其他需要高效功率转换的设备。
此外，由于其紧凑的封装形式和高性能，PSMN005-55P 也适合于空间受限但对效率要求较高的设计。
PSMN006-55PS
PSMN012-55YL
IRF540N
