时间：2025/6/18 23:16:43
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MT15N2R0C500CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件专为高效能开关应用设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种电力电子转换场景。其主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
最大漏源电压：50V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：2mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：快速
封装形式：TO-263
MT15N2R0C500CT 的低导通电阻使其能够显著降低传导损耗，从而提高系统效率。同时，该器件具备较高的雪崩击穿能量能力，增强了其在异常工作条件下的可靠性。
此外，该 MOSFET 的快速开关性能可减少开关损耗，尤其适合高频开关应用场景。其热性能优良，能够有效应对高功率密度需求。
器件还支持低至 4.5V 的栅极驱动电压，这使得它非常适合由电池供电的便携式设备使用。整体上，MT15N2R0C500CT 结合了高性能与坚固耐用的设计，成为众多工业和消费类应用的理想选择。
该芯片广泛应用于开关电源、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机控制电路、电池管理系统 (BMS)、LED 驱动电路以及负载开关等场景。特别是在需要高效率和高可靠性的场合，例如电动汽车充电桩、家用电器和工业自动化设备中，这款 MOSFET 表现优异。
IRF3205, FDP55N06L, STP16NF06
