时间：2025/9/14 20:15:19
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PSMN004-60B,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用场景，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。该MOSFET采用先进的Trench工艺制造，能够在高电流和高频率工作条件下保持稳定的性能。PSMN004-60B,118 常见于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、负载开关和功率放大器等应用中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：180A（在Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：0.4mΩ（最大值，典型值0.32mΩ）
功率耗散（Ptot）：140W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN004-60B,118 具备多项卓越的电气和热性能特性。其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该MOSFET采用了Nexperia的Advanced Trench技术，能够在保持高性能的同时实现更小的芯片尺寸，从而优化封装热阻和电流能力。其高耐压能力（60V）确保了在各种电源管理应用中的可靠性。
此外，该器件具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于高功率密度设计。PSMN004-60B,118 还具有快速开关特性，使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用，从而减小外围电感和电容的尺寸，提高系统响应速度。
该MOSFET采用LFPAK56（也称为Power-SO8）封装，具有出色的机械稳定性和散热性能，便于自动化生产和焊接。LFPAK封装还具备良好的抗潮湿性能，适用于汽车电子等严苛环境。
PSMN004-60B,118 主要用于需要高效率、高电流和高可靠性的功率电子系统中。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、负载开关、功率放大器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的热性能和高电流能力，该器件也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统、电动助力转向系统等。
IPB018N06N3 G | IRF180A | PSMN005-60B1B402
